【环球时报综合报道】“美国拟对中企禁售NAND闪存设备，美拟韩国半导体产业或‘躺枪’”，对华大受韩国《亚洲经济》8月2日的禁售家最报道称，美国继对华禁售14纳米以下光刻机等半导体设备后，半导备专半导正在考虑限制向中国存储半导体制造商出口美国半导体制造设备，体设体产三星电子和SK海力士等韩国半导体大厂或因此蒙受损失。害者韩国

报道称，美拟美方此次计划禁止对华销售用于制造128层堆叠以上的对华大受NAND闪存芯片设备，限制对象包括长江存储等，禁售家最目前尚处于初步讨论阶段，半导备专半导暂无起草计划。体设体产目前生产制造128层堆叠以上的害者韩国NAND闪存芯片设备包括美国的应用材料公司和泛林集团等企业。若这项限制计划最终获批，美拟将是对华大受美方首次通过出口管制来限制中国生产非军事用途的存储芯片。

有专家认为，禁售家最这项计划最大的受害者有可能是韩国半导体产业，尤其是三星电子和SK海力士。目前三星电子在西安和苏州建有两座NAND闪存芯片工厂，SK海力士则在无锡、重庆和大连建有生产线。SK海力士此前完成收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。若美方此次计划获批，美国芯片设备将被禁止运往这两家韩企位于中国的工厂。资料显示，成立于2016年的长江存储已成功量产128层NAND闪存芯片，并有传闻称最快可能于2022年年底量产232层NAND闪存芯片。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的扩张战略对美光科技、西部数据等美国企业构成“直接威胁”。

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